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化学气相沉积系统(CVD)

PECVD系统
PECVD系统
型号:KJ-T1200-PE
用途:适用于室温至1200℃条件下进行SiO2、SiNx薄膜的沉积,同时可实现TEOS源沉积,SiC膜层沉积以及液态气态源沉积其它材料,尤其适合于有机材料上高效保护层膜和特定温度下无损伤钝化膜的沉积。
1600 CVD 系统
1600 CVD 系统
型号:KJ-T1600 CVD
用途:此款CVD生长系统适用于CVD工艺,如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容(MLCC)气氛烧结等实验。
卷对卷PECVD设备
卷对卷PECVD设备
型号:KJ-T1200-JCY
用途:整套体系可在真空/气氛保护环境下工作。 收放卷机构转速从1~400mm/min可调,机构采用反馈调节,可自动纠正转速偏差,保证样品的速度稳定不走样
1200℃PECVD系统
1200℃PECVD系统
型号:KJ-PECVD-1200-50*300-F3
用途:温度范围宽;溅射区域长;整管可调;精致小巧,性价比高,可实现快速升降温,是实验室生长薄膜石墨烯,金属薄膜,陶瓷薄膜,复合薄膜等的理想选择,也可作为扩展等离子清洗刻蚀使用。
石墨烯生长炉PECVD设备
石墨烯生长炉PECVD设备
型号:KJ-T1200-S60LC-H2
用途:KJ-T1200-S60LC-H2石墨烯制备机是由KJ-T1200开启式滑轨管式炉、真空系统、质量流量计气路系统、等离子电源系统组成。可适用于石墨烯生长等
3通道CVD设备
3通道CVD设备
型号:KJ-T1600 -3M
用途:KJ-T1600 CVD 是一种管式炉,具有 80mm 直径的氧化铝管和三通道质量流量计气体流动系统。 它可以混合1-3种气体用于CVD或扩散。
三温区CVD设备
三温区CVD设备
型号:KJ-OTF-1700-F5
用途:此款三温区CVD生长系统适用于CVD工艺,如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容(MLCC)气氛烧结等实验。
双炉体CVD设备
双炉体CVD设备
型号:KJ-T1200-W2
用途:该双炉体CVD系统为定制款,适用于CVD工艺,如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容(MLCC)气氛烧结等实验。
等离子体增强化学气相沉积系统
等离子体增强化学气相沉积系统
型号:KJ-PECVD-D1
用途:等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术是借助于辉光放电(等离子体)使含有薄膜组成的气态物质发生化学反应,从而实现薄膜技术生长的一种系的制备技术。我公司依据实验要求设计制作该款设备以适应各类薄膜研究的需要。
混气PECVD设备
混气PECVD设备
型号:KJ-T1200 PECVD
用途:KJ-T1200 PECVD 是一种 PECVD(等离子体增强化学气相沉积)的管式炉系统,它由 500W 射频电源、带有 200毫米直径石英管的可拆分管式炉、真空泵和三通道质量流量计气体流动系统组成。它可以混合 1-3 种气体用于 CVD 或扩散。
CVD系统
CVD系统
型号:KJ-T1600-CVD
用途:广泛应用于半导体工业中,包括大范围的绝缘材料,以及大多数金属材料和金属合金材料等的镀膜,该设备可在目标材料表面形成密集的HfCl4涂层.
小型CVD管式炉
小型CVD管式炉
型号:KJ-T1200-S50-3Z
用途:适用于高校、科研院所、工矿企业做高温气氛烧结、气氛还原、CVD实验、真空退火等试验。
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